MMBT3906

Symbol Micros: TMMBT3906 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 300; 200mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3906-YAN; MMBT3906-7-F; MMBT3906-FAI; MMBT3906Q-7-F; MOSLEADER MMBT3906-ML;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: HOTTECH
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: HOTTECH Symbol producenta: MMBT3906 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3450 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1950 0,0730 0,0391 0,0292 0,0269
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: LGE Symbol producenta: MMBT3906 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1950 0,0730 0,0391 0,0292 0,0269
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: HOTTECH
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta