MMBT3906LT1G
Symbol Micros:
TMMBT3906lt
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 300; 300mW; 40V; 200mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3906-FAI; MMBT3906-DIO; MMBT3906-7-F; MMBT3906LT1G; MMBT3906-13-F; MMBT3906,215; MMBT3906 RFG; MMBT3906LT3G; MMBT3906-DIO; MMBT3906LT1G; MMBT3906T1G;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3906LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40098 szt.
| ilość szt. | 50+ | 400+ | 3000+ | 6000+ | 30000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0860 | 0,0241 | 0,0132 | 0,0121 | 0,0111 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3906LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
417000 szt.
| ilość szt. | 15000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0377 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3906LT3G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt.
| ilość szt. | 20000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0377 |
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |