MMBT3906WT1G
Symbol Micros:
TMMBT3906wt1g
Obudowa: SC70-3
Tranzystor PNP; 300; 150mW; 40V; 200mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 150mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3906WT1G RoHS
Obudowa dokładna: SC70-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2990 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3570 | 0,1410 | 0,0821 | 0,0601 | 0,0549 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3906WT1G
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnetrzny:
141000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0549 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3906WT1G
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0556 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3906WT1G
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0563 |
| Moc strat: | 150mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |