MMBT4403LT1G
Symbol Micros:
TMMBT4403lt
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 300; 300mW; 40V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT4403LT3G;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT4403LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1595 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4540 | 0,1790 | 0,1050 | 0,0765 | 0,0699 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT4403LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0699 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT4403LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0699 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT4403LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0699 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |