MMBT4403LT1G

Symbol Micros: TMMBT4403lt
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 300; 300mW; 40V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT4403LT3G;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT4403LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1595 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4540 0,1790 0,1050 0,0765 0,0699
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT4403LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt.
ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0699
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT4403LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0699
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT4403LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt.
ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0699
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP