MMBT5088LT1G
Symbol Micros:
TMMBT5088l
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 900; 300mW; 30V; 50mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 900 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 50mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT5088LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0924 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 900 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 50mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |