MMBT5401 smd
Symbol Micros:
TMMBT5401
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 240; 300mW; 150V; 500mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5401-7-F; MMBT5401; MMBT5401LT3G; MMBT5401LT1G; MMBT5401_D87Z; MMBT5401-TP; MMBT5401-FAI; MMBT5401-DIO;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 240 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 150V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: MMBT5401 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3350 | 0,1320 | 0,0772 | 0,0565 | 0,0516 |
Producent: Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta: MMBT5401-TP
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0520 |
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 240 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 150V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |