Tranzystor bipolarny MMBT5401H 2L WEJ  

Symbol Micros: TMMBT5401H 2L WEJ
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 100; 300mW; 160V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: WEJ
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 160V
Producent: WEJ Symbol producenta: MMBT5401H 2L RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
15000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2880 0,1110 0,0542 0,0431 0,0412
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: WEJ
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 160V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN