MMBT5551LT1G
Symbol Micros:
TMMBT5551 ON
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 160V; 600mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551LT3G; MMBT5551LT1;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 160V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT5551LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5651 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5200 | 0,2380 | 0,1300 | 0,0970 | 0,0866 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT5551LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
305951 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0866 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT5551LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
408998 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0866 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT5551LT3G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0866 |
| Moc strat: | 300mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 160V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |