MMBT6427 smd
Symbol Micros:
TMMBT6427
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 200000; 300mW; 40V; 500mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT6427; MMBT6427-7-F; MMBT6427LT1G;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 200000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT6427LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5110 | 0,2340 | 0,1280 | 0,0953 | 0,0851 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT6427LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
129000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0851 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT6427LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0851 |
| Moc strat: | 300mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 200000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |