MMBTA05
Symbol Micros:
TMMBTA05
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 100; 300mW; 60V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA05-7-F; MMBTA05-TP; MMBTA05LT1G; MMBTA05LT3G;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA05LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4420 | 0,1740 | 0,1020 | 0,0744 | 0,0680 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: MMBTA05-7-F
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0680 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA05LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0909 |
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |