MMBTA06LT1G
Symbol Micros:
TMMBTA06lt1
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA06LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4956 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5710 | 0,2620 | 0,1420 | 0,1070 | 0,0951 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA06LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
2892000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0951 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA06LT3G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0951 |
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |