MMBTA13LT1G ON Semiconductor
Symbol Micros:
TMMBTA13l
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN Darlington; 10000; 300mW; 30V; 300mA; 125MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA13LT1G; MMBTA13LT3G;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 125MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 10000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 300mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA13LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1900 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5800 | 0,2660 | 0,1450 | 0,1080 | 0,0966 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA13LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0966 |
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 125MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 10000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 300mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |