MMBTA14LT1G ON Semiconductor
Symbol Micros:
TMMBTA14l
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 20000; 300mW; 30V; 300mA; 125MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTE2404; MMBTA14-TP; MMBTA14-7-F; MMBTA14-LGE; MMBTA14;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 125MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 300mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA14LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
820 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4550 | 0,1790 | 0,1050 | 0,0766 | 0,0700 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA14LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0924 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA14LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0929 |
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 125MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 300mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |