MMBTA42LT1G
Symbol Micros:
TMMBTA42lt1
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 40 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 300V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA42LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2180 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,5700 | 0,2610 | 0,1420 | 0,1060 | 0,0950 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA42LT3G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
240000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0950 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA42LT3G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0950 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA42LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
3105000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0950 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 40 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 300V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |