MMBTA55
Symbol Micros:
TMMBTA55
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 100; 300mW; 60V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA55-7-F; MMBTA55LT1G;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA55LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4850 | 0,2220 | 0,1210 | 0,0905 | 0,0808 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA55LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0845 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: MMBTA55-7-F
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0808 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |