MMBTA56

Symbol Micros: TMMBTA56lt1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny
Tranzystor PNP; 100; 300mW; 80V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA56LT1G; MMBTA56LT3G;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBTA56LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5370 0,2460 0,1340 0,1000 0,0895
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP