MMBTA92

Symbol Micros: TMMBTA92 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; Bipolarny; 300V; 300V; 50Mhz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMBTA92-LGE; MMBTA92-YAN; MMBTA92-R1; MMBTA92_R1_00001; CMBTA92 (TCMBTA92);
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Producent: JSMSEMI
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Producent: JSMSEMI Symbol producenta: MMBTA92 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3630 0,1430 0,0835 0,0611 0,0558
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: LGE Symbol producenta: MMBTA92 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
830 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3630 0,1430 0,0835 0,0611 0,0558
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
830
Producent: HOTTECH Symbol producenta: MMBTA92 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
270 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3630 0,1430 0,0835 0,0611 0,0558
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: LGE Symbol producenta: MMBTA92 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3630 0,1430 0,0835 0,0611 0,0558
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Producent: JSMSEMI
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta