MMDT5551-7-F
Symbol Micros:
TMMDT5551-7-F Diodes
Obudowa: SOT363
Tranzystor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 160V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: MMDT5551-7-F RoHS .K4N
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8870 | 0,4500 | 0,2720 | 0,2160 | 0,1970 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: MMDT5551-7-F
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
249000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1970 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: MMDT5551-7-F
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
78000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1970 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: MMDT5551-7-F
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
45000 szt.
| ilość szt. | 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1970 |
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 160V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xNPN |