MMFTN138
Symbol Micros:
TMMFTN138
Obudowa: SOT23
Tranzystor: N-MOSFET ; unipolarny ; 50V ; 0,22A ; 0,36W ; SOT23 MMFTN138-DIO
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
Maksymalna tracona moc: | 360mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIOTEC |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: MMFTN138 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,6050 | 0,2870 | 0,1620 | 0,1230 | 0,1100 |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: MMFTN138
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1100 |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: MMFTN138
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1999 |
Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
Maksymalna tracona moc: | 360mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIOTEC |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |