MMFTN170

Symbol Micros: TMMFTN170
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 10V; 5Ohm; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MMFTN170-DIO;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 500mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIOTEC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: MMFTN170 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7150 0,3400 0,1910 0,1450 0,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIOTEC Symbol producenta: MMFTN170 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 500mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIOTEC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD