MMFTN170
Symbol Micros:
TMMFTN170
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 10V; 5Ohm; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MMFTN170-DIO;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 500mA |
Maksymalna tracona moc: | 300mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIOTEC |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: MMFTN170 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,7150 | 0,3400 | 0,1910 | 0,1450 | 0,1300 |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: MMFTN170
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1300 |
Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 500mA |
Maksymalna tracona moc: | 300mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIOTEC |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |