MMSS8550-L-TP

Symbol Micros: TMMSS8550
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 350; 625mW; 25V; 1,5A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMSS8550-L-TP (Rank:120-200Hfe); MSS8550-H-TP (Rank:200-350Hfe); MMSS8550;
Parametry
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 350
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: Micro Commercial Components Corp. Symbol producenta: MMSS8550-L-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3040 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5940 0,2820 0,1590 0,1210 0,1080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 350
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP