MMUN2111LT1G
Symbol Micros:
TMMUN2111lt1g
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 60; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMUN2111LT3G;
Parametry
| Moc strat: | 400mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2111LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2900 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3710 | 0,1460 | 0,0854 | 0,0625 | 0,0571 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2111LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
255000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0571 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2111LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
168000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0571 |
| Moc strat: | 400mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |