MMUN2112LT1G
Symbol Micros:
TMMUN2112
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 100; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 400mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2112LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2680 | 0,1000 | 0,0537 | 0,0401 | 0,0370 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2112LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0726 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2112LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0691 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2112LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0691 |
| Moc strat: | 400mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |