MMUN2113LT1G
Symbol Micros:
TMMUN2113
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 140; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMUN2113LT3G;
Parametry
Moc strat: | 400mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 140 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2113LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2590 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,2650 | 0,1020 | 0,0498 | 0,0396 | 0,0378 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2113LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0691 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2113LT3G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
50000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0691 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2113LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0691 |
Moc strat: | 400mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 140 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |