MMUN2114LT1G

Symbol Micros: TMMUN2114
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 140; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMUN2114LT3G;
Parametry
Moc strat: 400mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMUN2114LT3G Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0652
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 400mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP