MMUN2115LT1G
Symbol Micros:
TMMUN2115
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 250; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 400mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2115LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 100+ | 500+ | 4000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2950 | 0,1130 | 0,0823 | 0,0519 | 0,0422 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2115LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0691 |
| Moc strat: | 400mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |