MMUN2132LT1G
Symbol Micros:
TMMUN2132
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 27; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 400mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 27 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2132LT1G RoHS A6J
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 10+ | 40+ | 100+ | 500+ | 2500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4810 | 0,2120 | 0,1390 | 0,0888 | 0,0740 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2132LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0740 |
| Moc strat: | 400mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 27 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |