MMUN2211LT1G
Symbol Micros:
TMMUN2211lt1g
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 60; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMUN2211LT3G;
Parametry
| Moc strat: | 400mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2211LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
205 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4980 | 0,2280 | 0,1240 | 0,0930 | 0,0830 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2211LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
1007420 szt.
| ilość szt. | 15000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0830 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2211LT3G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 20000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0830 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2211LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0830 |
| Moc strat: | 400mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |