MMUN2212LT1G
Symbol Micros:
TMMUN2212
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 100; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 400mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2212LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3080 | 0,1190 | 0,0579 | 0,0461 | 0,0440 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2212LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
63000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0440 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2212LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
279000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0441 |
| Moc strat: | 400mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |