MMUN2214LT1G

Symbol Micros: TMMUN2214
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 140; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 400mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMUN2214LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
33850 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3790 0,1490 0,0872 0,0638 0,0583
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMUN2214LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt.
ilość szt. 15000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0583
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMUN2214LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
858000 szt.
ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0583
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 400mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN