MMUN2215LT1G
Symbol Micros:
TMMUN2215
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 350; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 400mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 350 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23-3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2215LT1G RoHS A8E.
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3610 | 0,1420 | 0,0832 | 0,0609 | 0,0556 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2215LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0617 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2215LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0642 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2215LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
138000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0662 |
Moc strat: | 400mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 350 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23-3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |