MMUN2216LT1G

Symbol Micros: TMMUN2216
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 350; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 400mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 350
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMUN2216LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23 karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
ilość szt. 10+ 20+ 90+ 540+ 3240+
cena netto (PLN) 0,3160 0,2020 0,0917 0,0544 0,0452
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
90
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMUN2216LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,3160 0,1210 0,0695 0,0506 0,0452
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Moc strat: 400mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 350
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta