MMUN2232LT1G
Symbol Micros:
TMMUN2232
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 30; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 400mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2232LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 10+ | 40+ | 100+ | 500+ | 2500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4220 | 0,1860 | 0,1220 | 0,0779 | 0,0649 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2232LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0649 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2232LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0649 |
| Moc strat: | 400mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |