MMUN2232LT1G

Symbol Micros: TMMUN2232
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 30; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 400mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMUN2232LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 10+ 40+ 100+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 0,4220 0,1860 0,1220 0,0779 0,0649
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 400mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN