MMUN2233LT1G ONS
Symbol Micros:
TMMUN2233
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 200; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 400mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 200 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2233LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1800 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4330 | 0,1710 | 0,0996 | 0,0729 | 0,0666 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2233LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
201000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0666 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMUN2233LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
63000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0666 |
| Moc strat: | 400mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 200 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |