MUN2211T1G ONSemiconductors

Symbol Micros: TMUN2211
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC59
Tranzystor NPN; 60; 230mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MUN2211T3G;
Parametry
Moc strat: 230mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC59
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MUN2211T1G RoHS 8A... Obudowa dokładna: SC59 karta katalogowa
Stan magazynowy:
508 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 1000+
cena netto (PLN) 0,4910 0,2250 0,1230 0,0904 0,0819
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
568
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MUN2211T1G RoHS 8A... Obudowa dokładna: SC59 karta katalogowa
Stan magazynowy:
422 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 1000+
cena netto (PLN) 0,4910 0,2250 0,1230 0,0904 0,0819
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
422
Moc strat: 230mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC59
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN