MUN5212DW1T1G ONSemiconductor
Symbol Micros:
TMUN5212dw
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xNPN; 100; 385mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 385mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5212DW1T1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5050 | 0,2320 | 0,1260 | 0,0943 | 0,0842 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5212DW1T1G
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1338 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5212DW1T1G
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1215 |
| Moc strat: | 385mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xNPN |