MUN5213T1G ONSemiconductor
Symbol Micros:
TMUN5213
Obudowa: SC70-3
Tranzystor NPN; 140; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 310mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 140 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5213T1G RoHS
Obudowa dokładna: SC70-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2960 | 0,1140 | 0,0557 | 0,0443 | 0,0423 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5213T1G
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnetrzny:
99000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0701 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5213T1G
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0676 |
| Moc strat: | 310mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 140 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |