MUN5213T1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TMUN5213
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC70-3
Tranzystor NPN; 140; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 310mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC70-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MUN5213T1G RoHS Obudowa dokładna: SC70-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2960 0,1140 0,0557 0,0443 0,0423
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MUN5213T1G Obudowa dokładna: SC70-3  
Magazyn zewnetrzny:
99000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0701
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MUN5213T1G Obudowa dokładna: SC70-3  
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0676
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 310mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC70-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN