MUN5311DW1T1G
Symbol Micros:
TMUN5311dw
Obudowa: SC-88 t/r
Tranzystor NPN/PNP; 60; 385mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MUN5311DW1T2G;
Parametry
| Moc strat: | 385mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC-88 t/r |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5311DW1T1G RoHS
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6880 | 0,3270 | 0,1840 | 0,1390 | 0,1250 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5311DW1T1G
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
Magazyn zewnetrzny:
348000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1250 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5311DW1T1G
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1250 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5311DW1T1G
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
Magazyn zewnetrzny:
1068000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1250 |
| Moc strat: | 385mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC-88 t/r |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |