MUN5314DW1T1G ON SEMI
Symbol Micros:
TMUN5314dw
Obudowa: SC70-6
Tranzystor NPN/PNP; 140; 385mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 385mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 140 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC70-6 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5314DW1T1G RoHS
Obudowa dokładna: SC70-6 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2120 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5500 | 0,2610 | 0,1470 | 0,1120 | 0,1000 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5314DW1T1G
Obudowa dokładna: SC70-6
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1000 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5314DW1T1G
Obudowa dokładna: SC70-6
Magazyn zewnetrzny:
429000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1000 |
| Moc strat: | 385mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 140 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC70-6 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |