MUN5333DW1T1G
Symbol Micros:
TMUN5333dw
Obudowa: SC-88 t/r
Tranzystor PNP/NPN; Bipolarny; 50V; 10V; 4,7kOhm; 100mA; 187mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,7kOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100mA |
| Maksymalna tracona moc: | 187mW |
| Obudowa: | SC-88 t/r |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5333DW1T1G RoHS
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8360 | 0,3970 | 0,2230 | 0,1700 | 0,1520 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5333DW1T1G
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1520 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5333DW1T1G
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1520 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,7kOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100mA |
| Maksymalna tracona moc: | 187mW |
| Obudowa: | SC-88 t/r |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |