NDS0610
Symbol Micros:
TNDS0610
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: NDS0610-G;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 20Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120mA |
| Maksymalna tracona moc: | 360mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NDS0610 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
12 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9450 | 0,4790 | 0,2900 | 0,2300 | 0,2100 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NDS0610 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3333 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9450 | 0,4790 | 0,2900 | 0,2300 | 0,2100 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NDS0610
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2100 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NDS0610
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
102000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2100 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 20Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120mA |
| Maksymalna tracona moc: | 360mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |