NDT451AN

Symbol Micros: TNDT451an
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 35mOhm; 7,2A; 3W; -65°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 35mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,2A
Maksymalna tracona moc: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: ONSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NDT451AN Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9359
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 35mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,2A
Maksymalna tracona moc: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: ONSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: SMD