NJT4030PT

Symbol Micros: TNJT4030p
Symbol Kontrahenta:
Obudowa:  
rys. techniczny
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 5A; 3W; -65°C~150°C; Odpowiednik: NJT4030PT3G; NJT4030PT1G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 3W
Obudowa: SOT223t/r
Producent: ONSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NJT4030PT3G Obudowa dokładna: SOT223t/r  
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6372
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NJT4030PT1G Obudowa dokładna: SOT223t/r  
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6553
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NJT4030PT1G Obudowa dokładna: SOT223t/r  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6420
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 3W
Obudowa: SOT223t/r
Producent: ONSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: SMD