NSV1C300ET4G
Symbol Micros:
TNSV1C300et4g
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor PNP; 360; 2,1W; 100V; 3A; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 2,1W |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 360 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NSV1C300ET4G RoHS
Obudowa dokładna: TO252t/r (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4000 | 1,4500 | 1,1200 | 1,0100 | 0,9600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NSV1C300ET4G
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1606 |
| Moc strat: | 2,1W |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 360 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |