NTA4153NT1G
Symbol Micros:
TNTA4153n
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 6V; 950mOhm; 915mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTA4153NT3G;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 950mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 915mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SC75-3 (SOT416) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTA4153NT1G RoHS
Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9030 | 0,5000 | 0,3320 | 0,2770 | 0,2580 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTA4153NT1G
Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416)
Magazyn zewnetrzny:
183000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2580 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTA4153NT1G
Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416)
Magazyn zewnetrzny:
1032000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2580 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 950mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 915mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SC75-3 (SOT416) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 6V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |