NTA7002NT1G

Symbol Micros: TNTA7002n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 10V; 7,5Ohm; 154mA; 300mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 154mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTA7002NT1G RoHS T6. Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416) karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
cena netto (PLN) 0,9090 0,3950 0,2480 0,2120 0,2020
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTA7002NT1G Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416)  
Magazyn zewnetrzny:
393000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2020
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTA7002NT1G Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416)  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2020
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 7,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 154mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 10V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD