NTD20P06L smd
Symbol Micros:
TNTD20p06l001
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 15,5A; 65W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: NTD20P06LT4G; NTD20P06LT4; NTD20P06L001;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 15,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 65W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTD20P06LT4G
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnętrzny:
16 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6769 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 15,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 65W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |