NTD24N06L

Symbol Micros: TNTD24N06L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06LT4G NTD24N06LT4
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 36mOhm
Maksymalny prąd drenu: 24A
Maksymalna tracona moc: 1,36W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTD24N06LT4G RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
36 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1700 1,8000 1,6000 1,5000
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 36mOhm
Maksymalny prąd drenu: 24A
Maksymalna tracona moc: 1,36W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD