NTD5865NLT4G
Symbol Micros:
TNTD5865nl
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 46A |
| Maksymalna tracona moc: | 71W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: TECH PUBLIC
Symbol producenta: NTD5865NLT4G RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
70 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3600 | 2,1100 | 1,7500 | 1,5600 | 1,4600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 46A |
| Maksymalna tracona moc: | 71W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |