NTD5867N
Symbol Micros:
TNTD5867n c
Obudowa: TO252
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 33mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | TECH PUBLIC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 33mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | TECH PUBLIC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
NTD5867NLT4G
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 36W; -55°C ~ 150°C;
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
NTD5867NLT4G RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
| cena netto (PLN) | 3,7700 | 2,3700 | 1,8600 | 1,6900 | 1,6400 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)